双IGBT缓冲吸收电路研究

• 作者: 叶敏 曹秉刚
• 来源期刊: 微电机
• 学科: 工学
• 关键词: 双IGBT 缓冲吸收 无感电容 温升
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 40-43,49
• 分类号: TP271
• 字数: 1946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-6848.2010.07.011

摘要

为提高电动汽车双向功率变换器的工作效率和使用寿命,提出双IGBT缓冲吸收电路.针对双RCD型缓冲吸收电路,详述了IGBT关断过程C-E端过电压产生的原因,给出了电路缓冲电容和电阻的确定方法,讨论了不同门极驱动电阻下电路的缓冲吸收效果,通过计算和实验调整确定了电路相关元件参数,指出了IGBT温升设计及其安装的注意事项.实验研究结果表明,双RCD型缓冲吸收电路可显著降低IGBT关断过电压,具有良好的缓冲吸收效果,可保证其安全性、可靠性和稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹秉刚	西安交通大学机械工程学院	126	3089	27.0	51.0
2	叶敏	长安大学道路施工技术与装备教育部重点实验室	58	206	8.0	11.0