Al-C-N非晶薄膜结构及导电性研究

• 作者: 于栋利 娄艳芝 王燕斌 罗庆洪 陆永浩
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al-C-N薄膜 磁控溅射 结构 导电性
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 138-143
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.444|O484.4
• 字数: 3998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.02.08

摘要

为了揭示Al-C-N非晶薄膜的结构、导电性以及它们之间的关系,本文采用非平衡磁控溅射沉积技术在Si(100)基体上沉积得到了不同Al含量的Al-C-N薄膜.使用X射线光电子能谱仪、X射线衍射和高分辨透射电镜研究了所制备薄膜的相组成和微观结构.采用四引线法测定了薄膜电阻率-温度关系和霍尔电阻率-磁场关系.实验结果表明,所制备薄膜为非晶结构,结构致密,没有明显的缺陷,薄膜中主要的化学键为C-N,C-C和Al-N键.薄膜的成分对其导电性能有着明显的影响,当Al含量较低时,Al-C-N薄膜为p型半导体;当Al含量较高时薄膜转变为绝缘体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王燕斌	北京科技大学材料物理与化学系	44	250	9.0	13.0
2	陆永浩	北京科技大学材料物理与化学系	45	134	6.0	9.0
3	于栋利	燕山大学材料科学与工程学院	23	79	5.0	7.0
4	罗庆洪	北京科技大学材料物理与化学系	7	26	3.0	4.0
6	娄艳芝		17	51	4.0	6.0