高速BiCMOS外延工艺研究

• 作者: 吴兵 王清波 薛智民 陈宝忠
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 薄层外延 BiCMOS 高频 过渡区 自掺杂 本征外延法
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 29-34
• 分类号: TN304.054
• 字数: 5690字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.06.009

摘要

外延工艺作为BiCMOS的关键工艺,影响着双极和CMOS器件的多项性能参数.文章对高速BiCMOS器件进行外延工艺研究,设计出了合理的外延层参数,并针对该参数进行了外延工艺的研发.高频器件需要超薄的外延层,控制较窄的过渡区是其关键,文章研究了几个主要外延工艺参数对过渡区的影响,并提出了一种通过减压、低温、本征外延得到窄过渡区的工艺方法.试制结果表明自掺杂效应得到明显抑制,1.5μm外延层下过渡区宽度小于0.25μm,外延层质量良好,测试结果表明该工艺能够满足高速BiCMOS器件的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛智民		4	2	1.0	1.0
2	吴兵		1	1	1.0	1.0
3	王清波		2	1	1.0	1.0
4	陈宝忠		1	1	1.0	1.0