N2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响

• 作者: 刘桥 徐希嫔 杨发顺 王代强 陈雨青
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 流量比 AlN薄膜 直流磁控反应溅射 元素种类与含量
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 26-28
• 分类号: TB43
• 字数: 1445字
• 语种: 中文

摘要

本文研究了N2-Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜的影响,实验表明在其它参数一定的情况下,N2-Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大影响,通过实验验证,选择N2-Ar流量比在1.525左右可获得质量较好的AlN薄膜(100取向).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘桥	贵州大学理学院	111	627	14.0	20.0
3	杨发顺	贵州大学理学院	54	125	5.0	8.0
5	陈雨青		30	127	5.0	10.0
6	王代强	贵州大学人民武装学院	31	84	5.0	7.0
17	徐希嫔	贵州大学理学院	3	14	2.0	3.0