650 nm波长发光器件的电学特性研究

• 作者: 从红侠 冯列峰 李杨 王存达
• 来源期刊: 天津师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 激光二极管(LD) 发光二极管(LED) 结电压 串联电阻
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 38-40
• 分类号: TN312.8
• 字数: 986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1114.2010.04.010

摘要

利用正向交流小信号结合直流I-U特性的方法对波长为650 nm的发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的正向电学特性进行精确表征.电学测量结果表明:发光二极管和激光二极管的串联电阻并非常数,激光二极管的串联电阻、结电压、电导和电容在阈值附近均出现明显突变.对比激光二极管和发光二极管的电学特性,得到激光二极管阈值处电学特性的突变是激射发光的必然结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李杨	天津大学应用物理学系	10	96	4.0	9.0
2	冯列峰	天津大学应用物理学系	9	47	4.0	6.0
3	王存达	天津大学应用物理学系	9	76	6.0	8.0
7	从红侠	南开大学滨海学院	1	0	0.0	0.0