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单端A类放大器及场效应管(1)
单端A类放大器及场效应管(1)
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摘要：
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MOS场效应管静电击穿原因及检测方法
MOS管
静电
击穿
检测
LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计
LDMOS
温度特性
功率放大器
偏置电路
175℃功率MOSFET场效应管在核磁共振功放电路中的应用
核磁共振测井仪器
全桥功放
耗散功率
结温
175℃失效率
场效应管静电失效与防护措施研究
场效应管
失效
静电放电
措施
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相关学者/机构
期刊影响力
音响技术
主办单位：
中国录音师协会
出版周期：
双月刊
ISSN：
1008-1003
CN：
11-3014/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市
邮发代号：
82-665
创刊时间：
1992
语种：
chi
出版文献量（篇）
3402
总下载数（次）
3
总被引数（次）
1614
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