提高GaN基发光二极管外量子效率的途径

• 作者: 李为军
• 来源期刊: 中国照明电器
• 学科: 工学
• 关键词: 外量子效率 芯片非极性面/半极性面生长技术 分布布拉格反射层(DBR)结构 光子晶体技术和全息技术 纳米压印技术与SU8技术
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 15-20
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 3627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-6150.2010.03.004

摘要

发光二极管(LED)的低外量子效率严重制约了LED的发展,本文主要介绍了提高GaN基LED外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术、分布布拉格反射层(DBR)结构、改变LED基底几何外形来改变光在LED内部反射的路径、表面粗化处理,以及新近的光子晶体技术和全息技术等.并对纳米压印与SU8相结合技术在提高LED外量子光效率方面进行了初步探索.