玻璃衬底上RF磁控溅射CIGS薄膜的研究

• 作者: 丁桂甫 侯捷 张丛春 杨春生 钱群
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 射频磁控溅射 铜铟镓硒(CIGS) 晶化 电阻率
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 674-679
• 分类号: TN305.92
• 字数: 3819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.11.005

摘要

采用射频磁控溅射的工艺,在玻璃衬底上制备得到了铜铟镓硒(CIGS)薄膜.讨论了衬底温度、溅射气压、退火与否对CIGS薄膜与衬底结合力、显微形貌、晶化程度及电阻率的影响.通过能谱(EDS)测试证明了溅射的CIGS薄膜Ga组分比符合高效吸收层的要求,通过X射线衍射(XRD)与扫描电子显微镜(SEM)测试,证明了衬底加热溅射、溅射后450 ℃空气退火可以有效提高CIGS薄膜与衬底的结合并提高晶化程度.通过四探针法电阻率测试证明了低气压条件下溅射、溅射后退火可以有效降低CIGS的电阻率,通过透射光谱分析证明了CIGS薄膜对可见光有高吸收效率,适合作为太阳电池的高效吸收层.