VHF-PECVD沉积本征微晶硅薄膜氧污染研究

• 作者: 卢景霄 张宇翔 王俊平 陈庆东
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: VHF-PECVD 微晶硅 激活能
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 24-27
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 1505字
• 语种: 中文

摘要

通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜,并对不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究.结果表明:在不同功率、不同气压沉积条件下沉积的微晶硅薄膜,激活能偏低,薄膜在沉积过程中被氧杂质污染;随着沉积功率的增大和沉积气压的增大,沉积速率随着提高,样品的激活能升高,通过提高沉积功率和沉积气压可以有效的抑制氧污染.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
2	张宇翔	郑州大学材料物理教育部重点实验室	45	274	10.0	14.0
3	陈庆东	滨州学院物理与电子科学系	24	48	3.0	6.0
4	王俊平	滨州学院物理与电子科学系	23	51	3.0	6.0