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摘要:
研究了单层MoO3(5 nm)和复合Au(4 nm)/MoO3(5 nm)HILs对OLEDs器件性能的影响,器件结构为ITO/HIL/NPB(40 nm)/Alq3 (60 nm)/LiF (1 nm)/Al (100 nm).与单层MoO3 HIL的器件相比,具有复合Au/MoO3 HIL的器件具有较大的电流和亮度.这是由于Au的功函数介于ITO和MoO3之间,导致Au的引入提高了空穴的注入效率.
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文献信息
篇名 具有Au/MoO3空穴注入层的有机发光二极管
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 有机发光二极管 空穴注入层 Au/MoO3
年,卷(期) 2010,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 157-161
页数 分类号 TN383.1
字数 2494字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周翔 中山大学光电材料与技术国家重点实验室 28 170 8.0 12.0
2 涂爱国 中山大学光电材料与技术国家重点实验室 1 12 1.0 1.0
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空穴注入层
Au/MoO3
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期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
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7
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29396
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