运算放大器在高ESD应力作用下的失效模式和失效位置研究

• 作者: 仇志杰 谢劲松 赵金林
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: ESD损伤 ESD击打模式 失效位置 电学失效模式
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 23-26,36
• 分类号: TB24
• 字数: 1391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2010.07.009

摘要

本研究以常用的运算放大器之一LM741为例进行了高ESD应力条件下的运算放大器的失效研究,研究通过物理观察和电学测试的手段考察了LM741失效位置及失效模式ESD击打打模式之间的关系.研究表明,不同的应力击打模式均造成几种相同的失效位置和模式,而且对失效部位的物殚观察发现:所造成芯片上的失效并非在芯片上的电路的单元内部.而在于电路的各个单元之间的绝缘层或者是连接电路单元的金属连线,这一发现为下一步ESD的失效建模和仿真提供了重要的试验依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢劲松	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	32	499	10.0	22.0
2	赵金林	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	3	18	2.0	3.0
3	仇志杰	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	1	1	1.0	1.0