La_(0.5)Sm_(0.2)Sr_(0.3)MnO_3/Ag_x二相复合体的结构及磁电阻

• 作者: 刘鹏 唐永刚 彭振生 牛晓飞 王桂英
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 室温低场磁电阻 晶界磁电阻 二相复合体 钙钛矿锰氧化物
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 210-214
• 页数: 5页
• 分类号: O482.5
• 字数: 3940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2010.02.009

摘要

用固相反应法制备La_(0.5)Sm_(0.2)Sr_(0.3)MnO_3/(Ag_2O)_(x/2)(x=0.00,0.04,0.08,0.25,0.30)样品,通过X射线衍射谱线(XRD),扫描电子显微镜(SEM)照片及SEM能谱(EDS),p-T曲线,研究样品的输运行为及磁电阻效应.结果表明:少量掺杂时Ag全部挥发.掺杂量较多时,挥发后多余的Ag主要以金属态包覆在母体颗粒的表面,使体系形成两相复合体.掺Ag为30%摩尔比时,样品的电阻率较低掺杂样品的电阻率降低一个数量级,在300 K、0.5 T磁场下,磁电阻明显增强,达到9.4%,这与颗粒母体界面结构的改善有关,也与材料电阻率的降低有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐永刚	宿州学院自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室	45	87	5.0	7.0
2	彭振生	宿州学院自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室	53	204	9.0	10.0
4	牛晓飞	宿州学院自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室	26	40	4.0	5.0
7	王桂英	宿州学院自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室	18	57	4.0	7.0
8	刘鹏	宿州学院自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室	20	34	4.0	5.0