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两种不同预充拓扑的反向导通双晶复合管高压脉冲电路
两种不同预充拓扑的反向导通双晶复合管高压脉冲电路
作者:
余岳辉
尚超
李伟邦
梁琳
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
反向导通双晶复合管
半导体开关
磁开关
直接预充
变压器预充
高电压
摘要:
为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路-直接预充拓扑和变压器预充拓扑.首先建立了RSD的工作拓扑模型,并分析了RSD正常开通所需要的条件:足够的预充电荷量QR和匹配的磁开关延时时间ts;然后按照开通的要求对电容、电感、负载等回路参数进行设计并选择合适的开关;最后,通过Saber仿真和实验验证了设计的合理性,并对结果进行了对比分析.根据实验结果,在主电压10 kV下,两种拓扑电路分别成功通过了14μs脉宽下9.0 kA的主电流和15 μs脉宽下7.5 kA的主电流,通过RSD开关的浪涌电流时间平方积分别为545 A2·s、426 A2·s.实验表明,直接式预充拓扑电路设计和维护相对容易,其主要应用在单次的人工控制环境;变压器预充拓扑电路能实现高低压隔离,其主要应用在重频自动控制环境.
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文献信息
篇名
两种不同预充拓扑的反向导通双晶复合管高压脉冲电路
来源期刊
高电压技术
学科
工学
关键词
反向导通双晶复合管
半导体开关
磁开关
直接预充
变压器预充
高电压
年,卷(期)
2010,(12)
所属期刊栏目
高电压新技术
研究方向
页码范围
3047-3053
页数
分类号
TM836
字数
4219字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
梁琳
华中科技大学电子科学与技术系
39
240
8.0
14.0
2
余岳辉
华中科技大学电子科学与技术系
60
621
14.0
22.0
3
尚超
华中科技大学电子科学与技术系
5
20
4.0
4.0
4
李伟邦
华中科技大学电子科学与技术系
3
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半导体开关
磁开关
直接预充
变压器预充
高电压
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高电压技术
主办单位:
中国电力科学研究院
中国电机工程学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-6520
CN:
42-1239/TM
开本:
大16开
出版地:
湖北省武汉市珞瑜路143号武汉高压研究所
邮发代号:
38-24
创刊时间:
1975
语种:
chi
出版文献量(篇)
9889
总下载数(次)
24
总被引数(次)
181291
相关基金
中国博士后科学基金
英文译名:
China Postdoctoral Science Foundation
官方网址:
http://www.chinapostdoctor.org.cn/index.asp
项目类型:
学科类型:
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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