808nm垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的研究

• 作者: 侯立峰 冯源 孙俘 赵英杰 郝永芹 钟景昌
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 垂直腔面发射激光器 湿法氧化 氧化限制孔径
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 209-213
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3828字
• 语种: 中文

摘要

为提高808nm垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的输出功率与电光转换效率,对其湿法氧化工艺进行了实验研究.采用扫描电镜(SEM)的微区分析功能,对样品氧化层按不同的氧化深度进行微区分析.微区分析结果表明:适当降低氧化温度,延长氧化时间,可减小氧化限制孔径的控制误差,提高氧化工艺的准确性;氧化后对样品进行高温加热处理,可减少氧化层中的As含量,改善氧化层的质量,提高氧化工艺的热稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟景昌	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	129	7.0	10.0
2	郝永芹	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	28	87	5.0	8.0
3	赵英杰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	148	7.0	11.0
4	侯立峰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	10	14	3.0	3.0
8	孙俘	装甲兵技术学院电子工程系	1	4	1.0	1.0