应力下OsSi2电子结构和光学特性研究

• 作者: 崔冬萌 李旭珍 谢泉 赵凤娟 陈茜
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: OsSi2 第一性原理 应力 电子结构 光学特性
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 746-751
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/972009-1269

摘要

采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density Functional Fheory)赝势法,对各向同性形变下OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算.计算结果表明,当晶格常数从96%,100%,104%依次进行各向同性形变时,OsSi2的带隙逐渐减小.当晶格参数被压缩到原来的96%时,OsSi2的间接带隙值Eg=0.928 eV,当晶格参数被拉伸到原来的104%时,OsSi2的间接带隙值Eg=0.068 eV.其光学特性曲线向低能方向漂移,晶格拉伸使得OsSi2的静态介电函数增大而压缩使其减小;晶格压缩可以使其吸收响应增强,进而提高光电转换效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉		133	486	12.0	17.0
2	陈茜		45	194	9.0	12.0
3	崔冬萌		12	34	3.0	5.0
4	赵凤娟		12	49	3.0	7.0
5	李旭珍		4	15	1.0	3.0