基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器

• 作者: 侯朝焕 华斯亮 张建恩 王东辉
• 来源期刊: 微计算机应用
• 学科: 工学
• 关键词: 双极型有源混频器 CMOS工艺 垂直寄生NPN晶体管
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 软件与硬件的应用与开发
• 页码范围: 39-42
• 分类号: TP3
• 字数: 1866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-347X.2010.04.008

摘要

随着声纳通信技术的发展,需要使用CMOS工艺设计用于声纳通信接收机中的低噪声低频混频器.由于MOSFETs的闪烁噪声拐角频率通常在几MHz,在低频工作时会有非常大的闪烁噪声.这使得用MOSFETs设计的传统CMOS有源混频器,在低频低噪声系统中不能使用.本文提出了使用深N阱CMOS工艺中的垂直寄生NPN晶体管(V-NPN)设计的双极型有源混频器.该垂直寄生NPN晶体管的闪烁噪声拐角频率通常为几KHz,因此可以用来设计低噪声低频混频器.本文使用0.18μm CMOS工艺中的V-NPN晶体管设计了一个双极型有源混频器.仿真结果显示,工作电压为3.3V,LO频率为50KHz,RF频率为40KHz时,该双极型有源混频器的电压增益为18.3dB,NFdsb为15.99dB,等效输出噪声,P1dB为-9.88dBm,IIP3为-1.65dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯朝焕	中国科学院声学研究所	156	1085	18.0	25.0
5	王东辉	中国科学院声学研究所	63	370	10.0	17.0
9	华斯亮	中国科学院声学研究所	8	24	3.0	4.0
13	张建恩	中国科学院声学研究所	2	0	0.0	0.0