倒掺杂沟道MOSFETs的研究

• 作者: 杨颖琳 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 倒掺杂 表面电势 漏极电流 饱和驱动电流 MOSFET
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 电子元器件
• 页码范围: 78-80
• 分类号: TN62
• 字数: 2093字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2010.06.032

摘要

本文研究了一种倒掺杂沟道MOSFET.与传统的MOSFETs不同,这种器件采用沟道表面掺杂浓度低、体内掺杂浓度高的倒掺杂设计.基于Possion方程,建立了线性变掺杂的沟道倒掺杂模型,得出了器件表面电势以及漏极电流的表达式,研究了垂直于沟道方向上倒掺杂的陡峭程度对漏极电流、饱和驱动电流以及表面电势的影响.计算结果与二维仿真软件MEDICI模拟结果相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
2	高珊	安徽大学电子科学与技术学院	28	89	6.0	8.0
3	杨颖琳	安徽大学电子科学与技术学院	1	1	1.0	1.0