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半导体工艺中硅衬底凹坑缺陷的检测
半导体工艺中硅衬底凹坑缺陷的检测
作者:
陈昊
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
微缺陷
失效
择优腐蚀液
凹坑
退火
摘要:
通过两个角度分析加深晶体缺陷的概念理解,结合一次工艺生产中造成芯片失效的晶体缺陷检测,分析造成此次芯片失效的晶体缺陷的种类和位置,并且给出了解决方案.
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文献信息
篇名
半导体工艺中硅衬底凹坑缺陷的检测
来源期刊
南京工业职业技术学院学报
学科
物理学
关键词
微缺陷
失效
择优腐蚀液
凹坑
退火
年,卷(期)
2010,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
39-41
页数
分类号
O474
字数
2545字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1671-4644.2010.02.014
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈昊
江苏信息职业技术学院电子信息工程系
4
10
2.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
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失效
择优腐蚀液
凹坑
退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
南京工业职业技术学院学报
主办单位:
南京工业职业技术学院
出版周期:
季刊
ISSN:
1671-4644
CN:
32-1635/Z
开本:
出版地:
南京市仙林大学城羊山北路1号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
chi
出版文献量(篇)
2046
总下载数(次)
8
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