CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景

• 作者: 刘宏伟 张世林 李晓云 毛陆虹 牛萍娟 王伟 谷晓 郭维廉 陈燕
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS工艺 多值逻辑(MVL) 共振隧穿器件(RTD) 负阻器件 逻辑电路设计 自锁特性
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 461-469,506
• 分类号: TN313+.2|TN312+.2|TN432|TN47|TN431.2|TN433
• 字数: 5934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.08.001

摘要

在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概念,并指出了此研究领域的几个重点研究内容和方向.