刻蚀型介质后栅FED器件的研究

• 作者: 胡利勤
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 刻蚀型介质 场致发射 后栅型
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 266-269
• 分类号: TN104
• 字数: 2492字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2010.04.012

摘要

针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件.该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料.器件耐压测试结果表明该介质层耐压性能良好,场发射测试结果表明该器件场发射性能优良.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡利勤	福州大学场致发射显示技术教育部工程研究中心	17	56	4.0	7.0