Si衬底GaN外延材料六角形缺陷分析

• 作者: 冯志红 刘波 周瑞 尹甲运 敦少博 李佳 王晶晶
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 六角形缺陷 AlN形核层 温度 Si衬底
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 603-605
• 分类号: TN304.23|TN304.054|O474
• 字数: 1578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.10.003

摘要

通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究.通过显微镜和扫描电镜(SEM)观测发现,AlN形核层在高温下生长时,GaN材料表面会产生大量六角形缺陷.通过电子能谱(EDS)分析得出GaN六角形缺陷中含有大量的Si元素以及少量的Ga和Al元素,其中Si元素从Si衬底中高温扩散而来.在降低AlN形核层的生长温度后,GaN材料表面的六角形缺陷随之消失.表明AlN形核层在较低的温度下生长时可以有效地抑制Si衬底表面Si原子的扩散,减少外延层中由于衬底Si反扩散引起的缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯志红		38	81	5.0	5.0
2	李佳		7	8	2.0	2.0
3	王晶晶		4	3	1.0	1.0
4	刘波		11	33	4.0	5.0
5	尹甲运		13	32	4.0	5.0
6	敦少博		10	19	3.0	4.0
7	周瑞		4	5	2.0	2.0