CCD位移辐射效应损伤机理分析

• 作者: 刘以农 刘敏波 唐本奇 张勇 王祖军 肖志刚 陈伟 黄绍艳
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: CCD 位移辐射 缺陷能级 电荷转移效率 体暗电流 暗电流尖峰 RTS
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 175-179
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文

摘要

研究了电荷耦合器件(CCD)位移辐射效应的损伤机理.分析了位移损伤诱发的体缺陷对CCD工作性能的影响.研究了位移损伤导致CCD电荷转移效率降低、体暗电流密度增大、暗电流尖峰以及随机电码信号(RTS)出现的规律和机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
2	刘敏波		22	147	8.0	10.0
3	肖志刚		29	227	8.0	13.0
4	张勇		23	200	8.0	12.0
5	黄绍艳		27	220	8.0	13.0
6	陈伟		95	286	8.0	11.0