大功率半导体器件的发展与展望

• 作者: 盛况 钱照明
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电力电子器件 碳化硅 氮化镓 发展 展望
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 1-9
• 页数: 9页
• 分类号: TN31/387
• 字数: 9327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-8410-B.2010.01.002

摘要

回顾了现代电力电子器件的发展历史,涉及的器件包括晶闸管、GTO、IGCT、MTO、IGBT、各种改进型的IGBT以及Coo1MOS.叙述了采用新型材料的电力电子器件的发展和前景,应用碳化硅和氮化镓材料的功率器件正在迅速地发展,一些器件有望在不远的将来实现商品化,进入电力电子技术市场.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱照明		265	7170	43.0	75.0
2	盛况		28	745	8.0	27.0