高Pr/低Pr栅FFET漏极电流与铁电材料特性的关系

• 作者: 施敏 王强 蔡小鹏 顾江
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电场效应晶体管(FFET) 双层栅 铁电材料 漏极电流 极化 仿真
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 659-662,673
• 分类号: TN384
• 字数: 2894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.11.002

摘要

分析了对铁电场效应晶体管漏极电流特性有影响的铁电材料参数,设计了具有单层和双层栅介质结构的铁电场效应晶体管,并进行了仿真研究.仿真结果表明:具有高Pr/低Pr栅介质结构的铁电场效应晶体管在饱和极化后,其极化前后输出漏极电流差最大,有利于存储信号的分辨,提高电路的效率.通过改变该结构中低Pr层的Pr,Ec等铁电材料参数,发现在3～4 V间饱和极化,该结构的铁电场效应晶体管的漏极电流输出特性比较稳定,减小了对材料、工艺、P5/Pr及Ec的依赖性和敏感性,具有易于制造和便于电路设计的优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王强	南通大学电子信息学院	60	132	6.0	8.0
2	施敏	南通大学电子信息学院	34	78	5.0	7.0
3	顾江	常熟理工学院物理电子系	13	51	4.0	6.0
4	蔡小鹏	南通大学计算机科学与技术学院	1	2	1.0	1.0