N对Fe掺杂Si半导体性质的影响

• 作者: 刘永利 刘清华 潘成福
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 稀磁半导体 磁性 掺杂 离子注入 铁磁性
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 673-675
• 分类号: TM305
• 字数: 1728字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.07.015

摘要

采用离子注入方法在Si基底上制备了Fe和N共掺Si的薄膜样品.在没有N原子共掺的情况下,样品中掺入的Fe原子与Si反应生成了FeSi2,且薄膜的铁磁性非常微弱;而Fe与N共掺样品中没有发现FeSi2及Fe团簇,且在室温下显示明显的铁磁性.结果表明,N的引入对FeSi2的形成有一定的抑制作用,从而使样品的铁磁性增强.样品的输运性质也进一步证实了N的掺入使更多的Fe掺入到晶格中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘清华	邢台学院物理系	25	55	4.0	5.0
2	潘成福	河北师范大学物理科学与信息工程学院	16	144	5.0	12.0
3	刘永利	邢台学院物理系	32	89	4.0	8.0