NexFET:一种高可靠与高性能的低压功率DMOSFET

• 作者: Alex Q.Huang 王潇 许曙明
• 来源期刊: 电力电子
• 关键词: NexFET MOSFET 齐纳二极管 电源管理 模拟 德州仪器(TI)
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 48-50
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET-TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管组合.基于MOSFET结构的RF LDMOSFET将品质因数(Ron*Qg)改善两倍.一个纵向集成的齐纳二极管钳制峰值开关节点电压的尖峰形成,从而使MOSFET免受击穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	Alex Q.Huang		1	0	0.0	0.0
2	许曙明		1	0	0.0	0.0
3	王潇		1	0	0.0	0.0