溅射气氛对RF反应磁控溅射制备ZnO薄膜微结构及光致发光特性的影响

• 作者: CHENG C H 张勇 李璟 杨峰 祐卫国 赵勇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 射频反应磁控溅射 溅射压强 氩氧比 光致发光
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 503-508
• 分类号: O482.31
• 字数: 2913字
• 语种: 中文

摘要

用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,具有沿c轴的择优取向;溅射压强P=0.6 Pa,氩氧比Ar/O2=20/5.5 sccm时,(002)晶面衍射峰强度和平均晶粒尺寸较大,(002)XRD峰半峰全宽(FWHM)最小,光致发光紫外峰强度最强.