SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器的研究

• 作者: 冯松 冯玉春 杨媛 高勇
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘层上锗硅 Y光功率分支器 模式
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 292-296
• 分类号: TN252
• 字数: 2523字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2010.03.009

摘要

在新材料SiGe-OI(绝缘层上锗硅)单模光波导的基础上,建立了符合单模光波导条件的SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器结构,分析了对称型Y分支光功率分配器的模式,并通过BPM模拟软件对SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器进行了模拟,分析了光场强度、分支角度、分支过渡区长度以及附加损耗等之间的关系,选择的Y 分支光功率分配器过渡区长度L为1200 μm,光束被平均分配到两个分支中,出口处每束光的强度大约是入口处强度的50%,符合Y分支器的3 dB特性.该设计可以获得具有均匀输出特性,当分支角小于1°的时候,附加损耗小于0.5 dB的低损耗SiGe-OI对称型Y 分支光功率分配器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玉春	深圳大学光电子器件与系统重点实验室	19	103	7.0	9.0
2	高勇	西安理工大学自动化与信息工程学院	189	1184	15.0	26.0
3	杨媛	西安理工大学自动化与信息工程学院	92	559	12.0	19.0
4	冯松	西安理工大学自动化与信息工程学院	7	13	2.0	3.0