双层流延法制备BTO-STO多层复合陶瓷及其性能研究

• 作者: 刘珊珊 周和平 王希林 赵玉珍
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 钛酸钡 钛酸锶 多层流延 介电性能
• 年，卷（期）: 2010,（z2）
• 页码范围: 41-44
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.012

摘要

钛酸锶钡是一种具有钙钛矿结构的铁电材料,在外加直流偏置电场作用下,钛酸锶钡(BSTO)的介电常数随着电场强度增加而降低,是目前相控阵天线移相器材料的研究热点.本工作以双层流延法制备了具有STO-BTO-STO-BTO-STO-…的多层叠合钛酸锶钡陶瓷,并通过控制多层陶瓷材料的烧结温度、烧结时间,以获得烧结后钛酸锶、钛酸钡双层扩散成分梯度分布的陶瓷材料,从而达到调节介电性能的目的.双层流延法制备的钛酸锶钡叠层材料通过介电性能测试发现,BTO-STO复合结构大大降低了材料的介电常数,样品介电常数均可降至300以下,最低可达210,介电损耗tanδ可降至0.02以下.BTO-STO多层陶瓷的介电可调性也有较大幅度的降低,该现象可由介质混合法则解释.通过SEM的分析结果可以看到清晰BTO-STO周期层状结构,经烧结后流延层间结合紧密.随着烧结温度的提高,烧结时间的增加,试样晶粒明显长大,而层间界线也更为模糊.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周和平	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	86	951	16.0	27.0
2	刘珊珊	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	17	63	4.0	7.0
3	赵玉珍	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	12	100	3.0	10.0
4	王希林	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	32	183	8.0	13.0