NiOx阻变存储器性能增强方法及相关机理研究

• 作者: 丁士进 孙清清 张卫 徐岩 陈琳 顾晶晶
• 来源期刊: 复旦学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变存储器 氧化镍 阻值窗口 稳定性 工艺控制
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 703-708
• 页数: 6页
• 分类号: TN402|TP333
• 语种: 中文

摘要

通过精确控制在Pt衬底上制备NiOx薄膜的工艺过程,制备出阻值窗口增大5倍以上,高低阻态稳定的TiN/NiOx/Pt结构阻变存储器.研究发现,NiOx薄膜的多晶态结晶结构和化学组分,尤其是Ni元素的化学态,是影响NiOx阻变存储器阻值窗口和稳定性的主要因素.X射线光电子能谱和X射线多晶体衍射测试结果表明,当NiOx薄膜中间隙氧或Ni2+空位增多时,Ni2+会被氧化成为Ni3+以保持电中性,Ni3+离子在材料中引人空穴导致P型氧化物NiO的漏电流增大.基于此机理,提出通过提高淀积温度、降低氧气分压的方法抑制NiOx薄膜中间隙氧或Ni2+空位的产生,降低TiN/NiOx/Pt结构阻变存储器关态漏电流,增大阻值窗口.这种基于工艺的性能增强方法,在NiOx阻变存储器实际应用中有良好前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈琳		91	712	14.0	23.0
2	丁士进		29	174	7.0	12.0
3	张卫		43	271	10.0	14.0
4	徐岩		5	19	1.0	4.0
5	孙清清		5	2	1.0	1.0
6	顾晶晶		1	0	0.0	0.0