多孔硅含能芯片的制备工艺和性能研究

• 作者: 叶迎华 沈瑞琪 王守旭
• 来源期刊: 含能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 应用化学 多孔硅 含能芯片 高氯酸铵 高氯酸钠 猛烈爆炸
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 527-531
• 分类号: TJ45|Q69
• 字数: 2729字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2010.05.011

摘要

采用电化学双槽腐蚀法在P型单晶硅片表面生长多孔硅膜.利用超声强化原位装药技术,在多孔硅膜中填充高氯酸铵或高氯酸钠制备多孔硅含能芯片.试验表明: 采用电化学双槽腐蚀法可以制备厚度达90～100 μm的不龟裂多孔硅厚膜; 该多孔硅膜能够承受超声填充高氯酸铵和高氯酸钠等氧化剂时的冲击,得到多孔硅含能芯片.该多孔硅含能芯片在450～470 ℃的热作用下,可在开放空间发生猛烈爆炸.高氯酸铵比高氯酸钠更适合制备多孔硅含能芯片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶迎华	南京理工大学化工学院	123	751	15.0	19.0
2	沈瑞琪	南京理工大学化工学院	171	1017	16.0	20.0
3	王守旭	南京理工大学化工学院	3	27	3.0	3.0