3D封装及其最新研究进展

• 作者: 刘辉 吴丰顺 吴懿平 周龙早 安兵 邓丹
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 3D封装 穿透硅通孔 金属化 散热 嵌入式工艺
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 443-450
• 分类号: TN405.97
• 字数: 4513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.07.010

摘要

介绍了3D封装的主要形式和分类.将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等,并对它们的优缺点进行了分析.围绕凸点技术、金属化、芯片减薄及清洁、散热及电路性能、嵌入式工艺、低温互连工艺等,重点阐述了3D互连工艺的最新研究成果.结合行业背景和国内外专家学者的研究,指出3D封装主要面临的是散热和工艺兼容性等问题,提出应尽快形成统一的行业标准和系统的评价检测体系,同时指出对穿透硅通孔(TSV)互连工艺的研究是未来研究工作的重点和热点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴懿平		79	771	16.0	24.0
2	吴丰顺	华中科技大学武汉光电国家实验室	70	604	15.0	21.0
6	刘辉	华中科技大学材料成形及模具国家重点实验室	52	318	10.0	15.0
7	安兵	华中科技大学武汉光电国家实验室	43	354	10.0	16.0
11	邓丹	华中科技大学武汉光电国家实验室	3	54	2.0	3.0
12	周龙早	华中科技大学材料成形及模具国家重点实验室	32	429	14.0	20.0