基于金属陶瓷贴片封装的数控衰减器设计

• 作者: 沈亚 沈宏昌
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 数控衰减器 PHEMT 衰减精度
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1-4,19
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2041字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.12.001

摘要

衰减器作为幅度调制器件被广泛用于电子战、雷达、测试设备、通信等各种微波领域.随着信息革命的深入发展,通信、雷达、测试设备等各种微波领域的电子设备趋向于小型化、低成本,对元器件的体积、功耗、可靠性、使用方便性的要求越来越高.文章介绍了一款采用GaAsPHEMT工艺和金属陶瓷贴片封装制作的L波段高精度单片六位数控衰减器的设计方法和研制结果.测试结果表明在频率为DC～2GHz内,衰减步进0.5dB,衰减范围0～31.5dB,插入损耗IL＜2.5dB,输入输出驻波比VSWR＜1.4,衰减精度|△Ai|＜(0.2+3%Ai)dB.附加相移|△φ|＜3°,控制方式为TTL电平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈亚		7	5	2.0	2.0
2	沈宏昌		11	2	1.0	1.0