碱性条件下硬盘基板两步抛光法的实验研究

• 作者: 刘效岩 刘玉岭 孙业林 谢竹石 魏恒
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 两步抛光法 去除速率 粗糙度 氧化剂 抛光压力
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 68-71
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2|TN304.21
• 字数: 2109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.016

摘要

在对硬盘基板CMP机理进行分析后,采用河北工业大学研制的计算机硬盘抛光专用碱性抛光液,选择氧化剂添加量、抛光压力两个重要参数分别进行实验,讨论它们在两步抛光方法中的重要作用.总结实验结果后,得出了上述两个参数在两步抛光方法中的影响规律,提出粗抛光中,应该采用较高氧化剂添加量和抛光压力以得到较高的去除速率和一定的表面质量;精抛光中,应该采用低氧化剂含量、低抛光压力以得到较完美的表面质量.用此方法抛光,较好地解决了当前硬盘基板加工中抛光速率与表面质量之间的矛盾.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子所	263	1540	17.0	22.0
2	刘效岩	河北工业大学微电子所	20	133	8.0	10.0
3	魏恒	河北工业大学微电子所	3	17	2.0	3.0
4	孙业林	河北工业大学微电子所	3	18	2.0	3.0
5	谢竹石	河北工业大学微电子所	2	3	1.0	1.0