CMOS超宽带低噪声放大器的设计

• 作者: 徐国明
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 超宽带 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 17-20
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2739字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.08.005

摘要

由于超宽带技术能够在短距离内传输几百兆的数据,帮助人们摆脱对导线的依赖,因此使得大带宽数据的无线传输从几乎不可能变为现实.尽管目前超宽带技术的标准还没有统一,但是低噪声放大器终归是其接收机中一个不可或缺的重要模块.文章介绍了一种基于0.18 μm CMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器.结合计算机辅助设计,该超宽带低噪声放大器输入、输出均实现良好的阻抗匹配,在3GHz～10GHz的频带范围内实现了增益G=29±1dB,噪声系数小于4dB.在1.8V工作电压下放大器的直流功耗约为35mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐国明	苏州大学电子信息学院	1	4	1.0	1.0