SiC晶体的PVT生长系统及测温盲孔对热场的影响

• 作者: 封先锋 蒲红斌 陈治明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC 测温盲孔 热场 温度梯度
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 741-746
• 分类号: O782
• 字数: 4189字
• 语种: 中文

摘要

实验中研究了不同结构参数的测温盲孔对晶体生长面热场的影响,结果分析表明:径向温度梯度和轴向温度梯度与测温盲孔的深度和半径近似成正比关系,但测温盲孔尺寸变化对径向温度梯度和轴向温度梯度的影响效果不同;改变测温盲孔尺寸适于调节径向温度梯度;测温盲孔半径和深度的增加均可导致坩埚盖上SiC多晶生长速率提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	蒲红斌	西安理工大学电子工程系	33	119	7.0	9.0
3	封先锋	西安理工大学电子工程系	22	106	7.0	9.0