SONOS结构EEPROM单元辐射效应分析

• 作者: 吕纯 周昕杰 蒋婷
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SONOS EEPROM 辐射效应 非易失性存储器 FLOTOX
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 32-35
• 分类号: TN303
• 字数: 2625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.12.009

摘要

随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多.为了满足应用的需要,文章比较了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,分析了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出:SONOS结构的EEPROM单元,其抗辐射性能优于FLOTOX结构.并分析了在辐射条件下,SONOS结构受辐射影响的数学模型.文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM研究提供了理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋婷		5	18	3.0	4.0
2	周昕杰		13	24	3.0	3.0
4	吕纯	江苏省无锡交通高等职业技术学院电气与信息工程系	5	8	2.0	2.0