电沉积/硫化法制备CuInS2薄膜微结构研究

• 作者: 刘迎春 卢志超 周少雄 方玲 李德仁 李正邦 阎有花
• 来源期刊: 物理测试
• 学科: 工学
• 关键词: CuInS2薄膜 电沉积/硫化法 速度 微结构
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 8-12
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 语种: 中文

摘要

以电沉积制备的Cu-In预制膜为衬底材料,硫粉为原料,尝试了Cu-In预制膜以一定速度移动的特殊硫化方法.采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,并分析了硫化中的反应动力学过程.结果表明:Cu-In预制膜由CuIn和CuIn2混合相组成,由其形成的CIS薄膜中除了CuInS2相以外,还出现CuxS二元相.KCN刻蚀处理去除表层的CuxS相后,底层的CuInS2薄膜具有黄铜矿相结构,与基底附着性较好.当速度为3.3V0时,CuInS2薄膜高质量结晶,薄膜均匀、致密,组分接近化学计量比,沿(112)面择优取向生长,适合于制备CIS太阳能电池吸收层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢志超		40	150	8.0	10.0
2	李德仁		34	124	7.0	10.0
3	刘迎春		7	24	3.0	4.0
4	方玲		7	41	4.0	6.0
5	周少雄		26	124	7.0	10.0
6	阎有花		4	23	3.0	4.0
7	李正邦		3	9	2.0	3.0