单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管

• 作者: 常永嘉 王鹏 许高斌 陈兴
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单壁碳纳米管随机网络 场效应晶体管 超声分散 萌罩式电子束蒸发 背栅
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 532-536
• 分类号: TB383|TN386|TN305
• 字数: 3072字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.09.002

摘要

使用超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNT),利用匀胶机把分散获得的、含有SWCNT的悬浮液均匀旋涂于SiO2/Si基上,利用萌罩式电子束蒸发技术在碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源Au电极.该制备技术避免了碳纳米管器件更多的化学接触,有效确保碳纳米管的纯度.该碳纳米管场效应晶体管器件采用重掺杂Si作为背栅、SWCNT随机网络薄膜为导电沟道.在室温环境下利用Keithley-4200对器件性能进行了测试分析,器件开启电流约为1 μA,峰值跨导为326 ns.该方法制备的SWCNT随机网络场效应晶体管,具有工艺实现简单、器件性能稳定、重复性和一致性好等特点,并可以用于构建CNT逻辑电路.该技术对于研究低成本、大规模基于CNT的集成电路来说,具有较高的借鉴价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许高斌		3	26	2.0	3.0
2	王鹏		2	12	1.0	2.0
3	陈兴		3	26	2.0	3.0
4	常永嘉		1	0	0.0	0.0