非接触半绝缘SiC电阻率测试

• 作者: 冯玢 吴华 洪颖 郝建民
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘碳化硅 电阻率 图像化 非接触测试方法 弛豫曲线
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 462-464
• 分类号: TN707
• 字数: 1389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.012

摘要

半绝缘碳化硅单晶(SI-SiC)是非常具有吸引力的大功率电子器件衬底材料,目前已越来越多地引起了人们的重视.其晶片电阻率的测试一直是一个难题.介绍了一种非接触电阻率测试方法,可以有效地解决这一难题.该方法利用电容充放电原理.首先对样品进行瞬时充电,再利用仪器实时检测放电过程中的总电量,从而得到其变化的弛豫曲线,之后对该曲线进行数学分析得到弛豫时间τ,最后利用弛豫时间τ计算出半绝缘碳化硅单晶的电阻率.实际测试时,先将晶片表面划分为若干等面积的小区域,再利用仪器逐个测试这些区域的电阻率,最后将所有电阻率的数据处理成一张电阻率分布图.该方法对半绝缘材料的研究工作具有积极的指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪颖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	15	36	3.0	5.0
2	郝建民	中国电子科技集团公司第四十六研究所	23	56	4.0	6.0
3	冯玢	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	26	3.0	4.0
4	吴华	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	11	2.0	3.0