额定压强下O2/Ar比对ZnO:Al薄膜导电性能的影响

• 作者: 邓宏 邓雪然 陈金菊 韦敏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 ZnO:Al(AZO)薄膜 O2/Ar比 导电性能
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 227-229
• 分类号: O472.4|O484.42
• 字数: 1762字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备出ZnO:Al薄膜,并对薄膜在不同O2/Ar比状态下的沉积厚度、结晶性能和导电性能之间的关系进行了探讨.测试结果表明:在0.2 Pa的额定压强下,Ar流量越大,薄膜的厚度越大,XRD峰越强,薄膜的电阻率(ρ)值越低.在纯氩气状态下溅射时,制得的薄膜具有最大的厚度值,约为2.06 μm,并具有最强的XRD峰,ρ同时也达到最小值,阻值为2.66×10-4 Ω·cm.研究表明:结晶性能的提高对薄膜ρ的降低起到了关键作用,而厚度的增加也会使电阻率下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金菊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	309	11.0	16.0
2	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
3	韦敏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	131	7.0	11.0
4	邓雪然	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	7	2.0	2.0