PbI2多晶膜的制备及其晶体结构

• 作者: 孙辉 朱兴华 李乐中 杨定宇 杨维清 高秀英 魏昭荣
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PbI2多晶膜 沉积速率 源-衬间距 衬底温度
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 719-723
• 分类号: O484.1
• 字数: 3145字
• 语种: 中文

摘要

采用电子束蒸发法制备PbI2多晶膜,研究了制备条件对沉积速率和晶体结构的影响.结果表明,源-衬间距和衬底温度对沉积速率的影响不具单调性,沉积速率随源-衬间距增大、衬底温度升高呈波动起伏.不同条件下制备的PbI2膜均属六方结构,但结晶质量和择优生长晶面存在差异.实验发现,随着膜层厚度增大,样品的结晶质量提高,当膜厚超出某一临界值,其结晶质量出现明显的下降.同时,随着衬底温度升高,PbI2膜的择优生长方向由80 ℃的(110)晶面转变为120 ℃的(001)晶面,且高级次(002)、(003)、(004)晶面的衍射峰逐渐增强,样品的c轴择优取向生长更加明显.综合以上,在电子枪束流25 mA、电压6.5 kV,源-衬间距30 cm、衬底温度160 ℃的条件下,采用电子束蒸发制备的PbI2多晶膜具有最佳的结晶性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱兴华	成都信息工程学院光电技术学院	32	98	6.0	7.0
2	杨定宇	成都信息工程学院光电技术学院	39	148	6.0	9.0
3	孙辉	成都信息工程学院光电技术学院	12	34	3.0	5.0
4	李乐中	成都信息工程学院光电技术学院	23	48	4.0	6.0
5	杨维清	成都信息工程学院光电技术学院	9	16	3.0	3.0
6	高秀英	成都信息工程学院光电技术学院	9	19	2.0	4.0
7	魏昭荣	成都信息工程学院光电技术学院	16	39	3.0	5.0