氢等离子体处理SiC表面技术的研究

• 作者: 张春丽 陈素华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 氢等离子体 反射高能电子衍射 X射线光电子能谱 电子回旋共振
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 1087-1090
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.11.010

摘要

对SiC表面进行传统湿法清洗之后,采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体系统在200℃低温条件下对SiC表面进行了氢等离子体处理,对处理前后的SiC样品表面分别做了反射高能电子衍射(RHEED)分析和X射线光电子能谱(XPS)分析.通过RHEED分析发现,经过氢等离子体处理的SiC表面比传统湿法清洗的SiC表面平整度更高,而且实验发现氢等离子体处理SiC表面时间越长,SiC表面平整度越高.通过XPS分析发现,SiC表面氧的含量显著减少,C/C-H化合物被去除,从而显著提高了SiC的抗氧化能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈素华	许昌学院电信学院	22	97	5.0	9.0
2	张春丽	许昌学院电信学院	8	10	2.0	3.0