Al-N共掺杂ZnO电子结构和光学性质

• 作者: 张宇飞 曹东兴 郭志友 高小奇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Al-N共掺杂 ZnO 电子结构 光学特性
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 509-514
• 分类号: O471.5|O472.3
• 字数: 3467字
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂Zn0的电子结构和光学性质.计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度.研究表明:N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄.而Al-N共掺杂体系,适当控制AJ和N的比例,克服了N单掺杂时受主间的相互排斥,降低了受主能级,对改善ZnO的P型掺杂有重要意义.在Al-N共掺ZnO中,AJ的引入,导致共掺体系的禁带宽度减小,吸收带边红移,实验现象证实了这一结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭志友	华南师范大学光电子材料与技术研究所	34	336	12.0	17.0
2	张宇飞	华南师范大学光电子材料与技术研究所	3	31	2.0	3.0
3	曹东兴	华南师范大学光电子材料与技术研究所	3	31	2.0	3.0
4	高小奇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	3	46	3.0	3.0