Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶电阻率的测试

• 作者: 杨祖贵 白荣林 闫洪
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 锗单晶 薄园片 电阻率 不均匀性
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 测试测量技术
• 页码范围: 18-19
• 分类号: TB971
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2010.05.007

摘要

文章对Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶的电阻率进行测试.通过引入锗园片的厚度修正系数和直径修正系数,得到锗园片中心电阻率是23.51 Ω.cm,园片边缘为27.16Ω.cm,不均匀性15.53%,提高了电阻率测定的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫洪		51	314	7.0	17.0
2	白荣林		14	38	4.0	5.0
3	杨祖贵		4	1	1.0	1.0