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摘要:
制备了平面结InGaAs短波红外探测器,分别测量了其在室温及液氮温区的响应光谱、电流~电压曲线和光生信号及噪声,发现其光生信号与室温测量值相比下降了大约50%.在液氮温区的测试结果表明,短波探测器的峰值响应率为Rvp=2.41(107V/W),峰值探测率Dp*=1.51(1012(cmHz)1/2/W.其透射谱的测量表明该探测器的透射率能够超过80%.这些指标能够满足红外双色探测系统的需求.
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文献信息
篇名 双色制导用InGaAs探测器低温特性的研究
来源期刊 低温物理学报 学科
关键词 双色探测器 InGaAs 探测率
年,卷(期) 2010,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 295-298
页数 4页 分类号
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
双色探测器
InGaAs
探测率
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
低温物理学报
双月刊
1000-3258
34-1053/O4
大16开
安徽省合肥市金寨路96号
26-136
1979
chi
出版文献量(篇)
1833
总下载数(次)
3
总被引数(次)
4241
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