腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长GaN质量的影响

• 作者: 李培咸 赵广才 郝跃
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 图形衬底 金属有机物化学气相沉积 氮化镓
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 624-627
• 分类号: O484.1
• 字数: 2571字
• 语种: 中文

摘要

使用熔融的KOH在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了GaN材料的外延生长.通过X射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	李培咸	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	324	10.0	17.0
3	赵广才	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	31	3.0	3.0