CdIn2O4纳米氧化物制备及氯气敏感特性分析

• 作者: 冯侨华 施云波 王立权 胡东升 赵文杰
• 来源期刊: 哈尔滨商业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟 纳米氧化物 氯气传感器
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 土木与机械工程
• 页码范围: 360-362,371
• 分类号: TB381
• 字数: 2311字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-0946.2010.03.027

摘要

以In(NO3)3和Cd(NO3)2为原料,采用Sol-Gel法合成N型CdIn2O4半导体氧化物纳米材料,通过500～800 ℃退火处理得到4种温度参数的纳米氧化物材料粉体,按照陶瓷半导体气体传感器工艺制成厚膜气敏元件.利用SEM对材料进行形貌表征,和XRD对材料的晶体结构进行分析,材料粒径尺寸在50 nm左右.测试结果表明,600 ℃退火烧结的纳米材料性能良好,元件在加热电压为3 V时性能稳定,加热功耗约为200 mW;在50×10-6时灵敏度为32倍,响应恢复时间分别为90 s和180 s,最低可检测到1×106.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯侨华	哈尔滨理工大学测控技术与仪器黑龙江省高校重点实验室	17	84	6.0	8.0
2	赵文杰	哈尔滨理工大学测控技术与仪器黑龙江省高校重点实验室	12	87	6.0	9.0
3	胡东升	哈尔滨理工大学应用科学学院	2	1	1.0	1.0