稀土氧化物掺杂对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷导电过程的影响

• 作者: 成鹏飞 王玉平
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 晶粒尺寸 导电过程 温度特性 介电特性
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 20-22
• 分类号: TM28
• 字数: 2266字
• 语种: 中文

摘要

掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用.发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制.因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成鹏飞	西安工程大学理学院	31	172	8.0	12.0
2	王玉平		10	64	5.0	8.0