氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响

• 作者: 侯立婷 刘迎春 卢志超 周少雄 方玲 朱景森 李艳萍 胡小萍 阎有花
• 来源期刊: 金属功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硫化 CuInS2薄膜 氧 太阳电池
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 38-42
• 分类号: TM615
• 字数: 3330字
• 语种: 中文

摘要

采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响.用扫描电镜(SEM)和能量色散谱仪(EDS)研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱(AES)对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量.结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄膜的成分和CIS太阳能电池的性能.